安泰非晶申请高磁导率纳米晶带材热处理工艺窗口拓宽方法专利拓宽热处理温度区间

　　金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，安泰非晶科技有限责任公司申请一项名为“一种高磁导率纳米晶带材的热处理工艺窗口拓宽方法”的专利，公开号CN120425134A，申请日期为2025年07月。

　　专利摘要显示，本发明涉及磁性材料制备与热处理技术领域，具体为一种高磁导率纳米晶带材的热处理工艺窗口拓宽方法，通过梯度成分设计与脉冲磁场耦合热处理，使带材初始磁导率超22万且热处理温度区间拓宽至400℃‑600℃；合金成分为Fe73.5%，Cu1%，Nb3%，Si13.5%，B8.5%，Co0.5%，热处理时先以15℃/min升温至450℃施加0.8T脉冲磁场保温，再升温至550℃保温，晶化生成α‑Fe(Si)纳米晶与Co‑B非晶界面相，Co以固溶体形式分布。本方法拓宽热处理温度区间，提升带材初始磁导率，改善韧性满足自动化生产，利用现有设备降低成本；制备的带材磁导率高、稳定性好，适用于多种场景，经济效益和社会效益良好。

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　　天眼查资料显示，安泰非晶科技有限责任公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事黑色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本51000万人民币。通过天眼查大数据分析，安泰非晶科技有限责任公司参与招投标项目339次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可2个。

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